Диоды Шоттке КДШ2140А-5, КДШ2140Б-5, КДШ2140В-5

Диоды КДШ2140А-5, КДШ2140Б-5, КДШ2140В-5 кремниевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов, поставляемые на общей пластине (неразделенные) или разделенные упакованные в специальную тару, предназначенны для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.

Указания по применению и эксплуатации

Указания по применению и эксплуатации – по ОСТ 11 336.925, ОСТ 11 336.907.0 и ОСТ 11 0272 с дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе.

Основное назначение диодов – использование в неремонтируемых гибридных схемах, имеющих герметичные корпуса или иную защиту от воздействия солнечного света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков и агрессивных сред, а также для сборки дискретных приборов.

При производстве ГС и при сборке дискретных приборов строго руководствоваться требованиями 6.4 ОСТ 11 336.925 и ОСТ 11 0272.

При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность диодов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно токопроводящих. На всех стадиях производства ГС и сборке дискретных приборов запрещается брать диоды незащищенными руками.

Надежность и долговечность диодов в эксплуатации обеспечивается как качеством самих диодов, выбором оптимальных режимов и условий их эксплуатации, так и соблюдением технологии монтажа в схемах.

Требования к устойчивости при механических воздействиях

Механические воздействия в составе ГС и дискретных приборов по ОСТ 11 336.925, в том числе:

• синусоидальная вибрация: диапазон частот от 1 до 2000 Гц; амплитуда ускорения 200 м/с2 (20 g);
• линейное ускорение 5000 м/с2 (500 g).

Требования к устойчивости при климатических воздействиях

Климатические воздействия в составе ГС и дискретных приборов по ОСТ 11 336.925, в том числе:

• повышенная рабочая температура среды 125 С,
• пониженная рабочая температура среды минус 45 С,
• изменения температуры среды от минус 60 до 125 С.

Требования к надежности

• Интенсивность отказов диодов в течение наработки tн не более 3 10-6 1/ч.
• Наработка диодов в составе ГС и дискретных приборов tн = 25000 ч.
• 95-процентный срок сохраняемости диодов в составе ГС и дискретных приборов 10 лет.